Компания Toshiba сообщила о начале массового производства инжекционного транзистора с обогащенным затвором (IEGT) в обжимном корпусе диаметром 168 мм. Новинка, получившая название ST2000GXH32, характеризуется номинальным напряжением коллектор-эмиттер 4500 В и номинальным током коллектора 2000 А.
В структуру
