Компания Toshiba объявила о строительстве новой фабрики по производству силовых полупроводниковых изделий с использованием 300-миллиметровых пластин. По словам Toshiba, транзисторы MOSFET, IGBT и другие силовые компоненты сейчас очень востребованы. Фабрика будет также выпускать слаботочные и оптоэлектронные приборы.
Предприятие будет расположено на основной производственной базе дискретных полупроводниковых приборов Kaga Toshiba Electronics Corporation в префектуре Исикава. Строительство
