Компания SK Hynix первой на рынке представила микросхемы памяти DDR5 плотностью 24 Гбит. Новые микросхемы будут производиться по техпроцессу 1anm, который представляет собой четвёртое поколение 10-нанометрового техпроцесса и подразумевает использование EUV-литографии.
Hynix говорит о улучшенной производственной эффективности, на 33% большей скорости и на 25% меньшем энергопотреблении. Самое важное — новые микросхемы позволяют создавать модули памяти объёмом 48 и 96 ГБ. Именно такие
