Компания Samsung первой в мире реализовала процесс вычислений в оперативной памяти MRAM.
Магниторезистивная оперативная память имеет потенциал заменить привычную DRAM, имея множество преимуществ. Однако, когда дело доходит до вычислений непосредственно в памяти, есть ряд проблем.
Как сказано в научной работе учёных Samsung, разработка массива магниторезистивной памяти с произвольным доступом с передачей спинового момента остается сложной задачей, несмотря на практические
