Компании IBM и Samsung Electronics совместно объявили о прорыве в разработке полупроводниковых технологий, основанном на использовании новой вертикальной транзисторной архитектуры, которая открывает путь к масштабированию за пределы наноуровня и имеет потенциал значиетельного снижения энергопотребления по сравнению с транзисторами FinFET.
Закон Мура, согласно которому количество транзисторов в микросхемах примерно удваивается каждые два года, быстро приближается к тому, что считается
